Low

M29DW323DB70N6E - 

Flash Memory, Boot Block, NOR, 32 Mbit, 4M x 8bit / 2M x 16bit, CFI, Parallel, TSOP, 48 Pins

M29DW323DB70N6E - Flash Memory, Boot Block, NOR, 32 Mbit, 4M x 8bit / 2M x 16bit, CFI, Parallel, TSOP, 48 Pins

Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.

Producător:
MICRON MICRON
Nr. de reper producător:
M29DW323DB70N6E
Cod de comandă:
1734997
Gamă de produse
3V Parallel NOR Flash Memories
Fişă tehnică:
(EN)
Consultaţi toate documentele tehnice

Prezentare generală a produsului

The M29DW323DB70N6E is a 32MB non-volatile Flash Memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage 2.7 to 3.6V supply. The M29DW323DB locates the parameter blocks starting from the bottom. The extended block, that can be accessed using a dedicated command. The extended block can be protected and so is useful for storing security information. However the protection is irreversible, once protected the protection cannot be undone. Each block can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. The blocks can be protected to prevent accidental program or erase commands from modifying the memory. Program and Erase commands are written to the command Interface of the memory. An on-chip program/erase controller simplifies the process of programming or erasing the memory by taking care of all of the special operations that are required to update the memory contents.
  • Asymmetrical block architecture
  • On power-up the memory defaults to its read mode
  • Access time - 70ns
  • Double word/quadruple byte program
  • Dual operations - read in one bank while program or erase in other
  • Erase suspend and resume modes - read and program another block during erase suspend
  • Unlock bypass program command - Faster production/batch programming
  • VPP/WP Pin for fast program and write protect
  • Temporary block unprotection mode
  • Common flash interface - 64-bit security code
  • Extended memory block - extra block used as security block or to store additional information
  • Low power consumption - standby and automatic standby
  • 100000 Program/erase cycles per block
  • Electronic signature

Aplicaţii

Computers & Computer Peripherals, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics

Detalii tehnice

:
32Mbit
:
4M x 8bit / 2M x 16bit
:
-
:
CFI, Parallel
:
TSOP
:
48Pins
:
70ns
:
2.7V
:
3.6V
:
-40°C
:
85°C
:
Each
:
3V Parallel NOR Flash Memories
:
To Be Advised
:
MSL 3 - 168 hours
Găsiţi produse similare Alegeţi şi modificaţi atributele mai sus pentru a găsi produse similare.

Căutări conexe

53 În stoc

53 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK

În limita stocului disponibil

consultaţi perioadele de reduceri
19,64 lei lei 19.64
Preţ pentru:
Bucată
Mai multe: 1 Minim: 1
Cantitate Preţ
1 + 19,64 lei
10 + 17,14 lei
100 + 15,62 lei
250 + 15,31 lei
500 + 15,00 lei
2000 + 14,69 lei
3000 + 14,37 lei
5000 + 14,06 lei
No longer stocked:: No Longer Manufactured::

Păreri clienţi

Comunitate

Doriţi să vedeţi informaţii despre acest produs de la alţi clienţi?

 Citiţi discuţiile, blogurile, documentele de la membrii comunităţii noastre.

Filtre:

Selectaţi tipul(rile) de documente pe care vreţi să le vizualizaţi şi apăsaţi pe butonul „Aplicare filtru“
Adresaţi o întrebare unuia dintre experţii noştri sau începeţi o discuţie şi obţineţi răspunsuri de la experţii furnizorului şi alţi colegi ingineri din comunitatea noastră.