Low

NXP  BCV48,115  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 220 MHz, 1.3 W, -500 mA, 2000 hFE

NXP BCV48,115
Technical Data Sheet (119.97KB) EN Consultaţi toate documentele tehnice

Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.

Prezentare generală a produselor

The BCV48,115 is a PNP Darlington Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use where very high amplification is required. It offers collector pad for good heat transfer.
  • Very high DC current gain
  • High current
  • Low voltage
  • EE marking code

INFORMAŢII DESPRE PRODUSE

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
-60V
Transition Frequency ft:
220MHz
Power Dissipation Pd:
1.3W
DC Collector Current:
-500mA
DC Current Gain hFE:
2000hFE
Transistor Case Style:
SOT-89
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Găsiţi produse similare  grupate în funcţie de atributele comune

Aplicaţii

  • Industrial;
  • Power Management

Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului

Nivel de sensibilitate la umezeală:
MSL 1 - Unlimited
Ţara de origine:
United States

Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat

Conformitate cu RoHS:
Da
Nr. tarif:
85412900
Greutate (kg):
.001