Low

NXP  BST39,115  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 70 MHz, 1.3 W, 100 mA, 40 hFE

NXP BST39,115
Technical Data Sheet (96.32KB) EN Consultaţi toate documentele tehnice

Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.

Detalii tehnice

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
350V
Transition Frequency ft:
70MHz
Power Dissipation Pd:
1.3W
DC Collector Current:
100mA
DC Current Gain hFE:
40hFE
Transistor Case Style:
SOT-89
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Găsiţi produse similare  grupate în funcţie de atributele comune

Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului

Nivel de sensibilitate la umezeală:
MSL 1 - Unlimited
Ţara de origine:
Hong Kong

Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat

Conformitate cu RoHS:
Da
Nr. tarif:
85412900
Greutate (kg):
.001