Low

ON SEMICONDUCTOR  MMSD301T1G  RF Schottky Diode, Barrier, Single, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOD-123

ON SEMICONDUCTOR MMSD301T1G
Technical Data Sheet (137.88KB) EN Consultaţi toate documentele tehnice

Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.

Prezentare generală a produsului

The MMSD301T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
  • Extremely low minority carrier lifetime
  • Very low capacitance
  • Low reverse leakage
  • -55 to 125°C Operating junction temperature range

Detalii tehnice

Diode Configuration:
Single
Reverse Voltage Vr:
30V
Forward Current If Max:
200mA
Forward Voltage VF Max:
600mV
Capacitance Ct:
0.9pF
Diode Case Style:
SOD-123
No. of Pins:
2 Pin
Packaging:
Cut Tape
Product Range:
MMSD3 Series
SVHC:
No SVHC (20-Jun-2016)

Găsiţi produse similare  grupate în funcţie de atributele comune

Aplicaţii

  • RF Communications;
  • Sensing & Instrumentation;
  • Industrial

Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului

Ţara de origine:
China

Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat

Conformitate cu RoHS:
Da
Nr. tarif:
85411000
Greutate (kg):
.001

Alternative

Small Signal Schottky Diode, Single, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C

TAIWAN SEMICONDUCTOR

În aşteptarea livrării (Disponibil pentru comandă în aşteptare în timpul de execuţie afişat)

Preţ pentru: Bucată (pe bobină tăiată)

10+ 0,52 lei 250+ 0,36 lei 1000+ 0,31 lei 3000+ 0,28 lei mai multe informaţii...

Cumpărare

Produse similare