Low

ROHM  UMH1NTN  Bipolar Transistor Array, Dual, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 56 hFE, SOT-363

ROHM UMH1NTN
Technical Data Sheet (1.35MB) EN Consultaţi toate documentele tehnice

Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.

Detalii tehnice

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
50V
Power Dissipation Pd:
150mW
DC Collector Current:
100mA
DC Current Gain hFE:
56hFE
Transistor Case Style:
SOT-363
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Găsiţi produse similare  grupate în funcţie de atributele comune

Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului

Nivel de sensibilitate la umezeală:
MSL 1 - Unlimited
Ţara de origine:
Japan

Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat

Conformitate cu RoHS:
Da
Nr. tarif:
85412100
Greutate (kg):
.000035