Low

VISHAY  SI8410DB-T2-E1  MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4

Technical Data Sheet (159.49KB) EN Consultaţi toate documentele tehnice

Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.

VISHAY SI8410DB-T2-E1
Clip video

INFORMAŢII DESPRE PRODUSE

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
5.7A
Drain Source Voltage Vds:
20V
On Resistance Rds(on):
0.03ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
4.5V
Threshold Voltage Vgs:
850mV
Power Dissipation Pd:
1.8W
Transistor Case Style:
TrenchFET
No. of Pins:
4Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Găsiţi produse similare  grupate în funcţie de atributele comune

Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului

Nivel de sensibilitate la umezeală:
MSL 1 - Unlimited
Ţara de origine:
China

Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat

Conformitate cu RoHS:
Da
Nr. tarif:
85412900
Greutate (kg):
.000073