Single MOSFET Transistors

: 42 produse găsite
Dispoziţie filtru:
2 filtre selectate
42 produse găsite Faceţi clic pe butonul „Aplicare filtre“ pentru a actualiza rezultatele
Min./Max. Stoc disponibil

Când caseta de selectare Memorare este bifată, vom salva cele mai recente preferinţe legate de filtre pentru căutările viitoare

Conformitate
Min./Max. Transistor Polarity
Min./Max. Drain Source Voltage Vds
Min./Max. Continuous Drain Current Id
Min./Max. On Resistance Rds(on)
Min./Max. Transistor Case Style
Min./Max. Transistor Mounting
Min./Max. Rds(on) Test Voltage Vgs
Min./Max. Threshold Voltage Vgs
Min./Max. Power Dissipation Pd
Min./Max. No. of Pins
Min./Max. Operating Temperature Max
Min./Max. Product Range
Min./Max. Automotive Qualification Standard

Afişarea preţurilor de contract nu este disponibilă în acest moment. Preţurile afişate sunt cele de desfacere; comenzilor efectuate li se va aplica preţul de contract în momentul procesării.

filtre aplicate
Producător
= VISHAY
Drain Source Voltage Vds
= 800V
 
Comparaţi elementele selectate Comparare
Atribute extinse Atribute
Adăugaţi proprietăţi în tabel

Selectaţi proprietăţile pe care doriţi să le adăugaţi în coloanele de la finalul tabelului.

  Nr. de reper producător Cod de comandă Producător / Descriere
Disponibilitate Preţ pentru
Preţ
Cantitate
Transistor Polarity Drain Source Voltage Vds Continuous Drain Current Id On Resistance Rds(on) Transistor Case Style Transistor Mounting Rds(on) Test Voltage Vgs Threshold Voltage Vgs Power Dissipation Pd No. of Pins Operating Temperature Max Product Range Automotive Qualification Standard
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
IRFPE50PBF
IRFPE50PBF - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Through Hole

1653671

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 7.8A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

17 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din Liege: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

317 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 10.08.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 7.8A
On Resistance Rds(on) 1.2ohm
Transistor Case Style TO-247AC
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 190W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range -
Automotive Qualification Standard -

334 În stoc

1+ 20,34 lei Preţ pentru 10+ 15,31 lei Preţ pentru 100+ 12,71 lei Preţ pentru 250+ 12,03 lei Preţ pentru 500+ 10,90 lei Preţ pentru 1000+ 9,10 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate
Vizualizaţi stoc suplimentar Avnet

Bucată

1+ 20,34 lei 10+ 15,31 lei 100+ 12,71 lei 250+ 12,03 lei 500+ 10,90 lei 1000+ 9,10 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 7.8A 1.2ohm TO-247AC Through Hole 10V 4V 190W 3Pins 150°C - -
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole

8648859

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.1A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

47 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din Liege: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

1.246 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 10.08.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.1A
On Resistance Rds(on) 3ohm
Transistor Case Style TO-220AB
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 125W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range -
Automotive Qualification Standard -

1.293 În stoc

1+ 9,10 lei Preţ pentru 10+ 7,04 lei Preţ pentru 100+ 5,28 lei Preţ pentru 250+ 5,18 lei Preţ pentru 500+ 4,49 lei Preţ pentru 1000+ 3,56 lei Preţ pentru 5000+ 3,38 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate
Vizualizaţi stoc suplimentar Avnet

Bucată

1+ 9,10 lei 10+ 7,04 lei 100+ 5,28 lei 250+ 5,18 lei 500+ 4,49 lei 1000+ 3,56 lei 5000+ 3,38 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 4.1A 3ohm TO-220AB Through Hole 10V 4V 125W 3Pins 150°C - -
SIHB6N80E-GE3
SIHB6N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

2932922

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

989 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Data Sheet
+
RoHS
Bandă tăiată
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A
On Resistance Rds(on) 0.82ohm
Transistor Case Style TO-263 (D2PAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 78W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

989 În stoc

1+ 7,09 lei Preţ pentru 10+ 5,23 lei Preţ pentru 100+ 4,74 lei Preţ pentru 250+ 4,74 lei Preţ pentru 500+ 4,73 lei Preţ pentru 1000+ 4,73 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată (pe bobină tăiată)

Bandă tăiată
Opţiuni de ambalare
Înlocuire sugerată pentru:2932922
2932922RL în Rebobinare

1+ 7,09 lei 10+ 5,23 lei 100+ 4,74 lei 250+ 4,74 lei 500+ 4,73 lei 1000+ 4,73 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 5.4A 0.82ohm TO-263 (D2PAK) Surface Mount 10V 4V 78W 3Pins 150°C E Series -
SIHP17N80E-GE3
SIHP17N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Through Hole

2772347

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 15A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

991 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 15A
On Resistance Rds(on) 0.25ohm
Transistor Case Style TO-220AB
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 208W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

991 În stoc

1+ 11,78 lei Preţ pentru 10+ 10,42 lei Preţ pentru 100+ 10,37 lei Preţ pentru 250+ 10,32 lei Preţ pentru 500+ 10,27 lei Preţ pentru

Cantitate

Bucată

1+ 11,78 lei 10+ 10,42 lei 100+ 10,37 lei 250+ 10,32 lei 500+ 10,27 lei

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 15A 0.25ohm TO-220AB Through Hole 10V 4V 208W 3Pins 150°C E Series -
SIHG17N80E-GE3
SIHG17N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Through Hole

2772346

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 15A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

465 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 15A
On Resistance Rds(on) 0.25ohm
Transistor Case Style TO-247AC
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 208W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

465 În stoc

1+ 12,96 lei Preţ pentru 10+ 12,13 lei Preţ pentru 100+ 11,30 lei Preţ pentru 250+ 10,46 lei Preţ pentru

Cantitate

Bucată

1+ 12,96 lei 10+ 12,13 lei 100+ 11,30 lei 250+ 10,46 lei

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 15A 0.25ohm TO-247AC Through Hole 10V 4V 208W 3Pins 150°C E Series -
SIHB6N80E-GE3
SIHB6N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

2932922RL

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

989 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A
On Resistance Rds(on) 0.82ohm
Transistor Case Style TO-263 (D2PAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 78W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

989 În stoc

10+ 5,23 lei Preţ pentru 100+ 4,74 lei Preţ pentru 250+ 4,74 lei Preţ pentru 500+ 4,73 lei Preţ pentru 1000+ 4,73 lei Preţ pentru

Cantitate

Bucată (pe bobină tăiată)

Rebobinare
Opţiuni de ambalare
Înlocuire sugerată pentru:2932922RL
2932922 în Bandă tăiată
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei

10+ 5,23 lei 100+ 4,74 lei 250+ 4,74 lei 500+ 4,73 lei 1000+ 4,73 lei

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 10 Mult: 1
N Channel 800V 5.4A 0.82ohm TO-263 (D2PAK) Surface Mount 10V 4V 78W 3Pins 150°C E Series -
SIHW21N80AE-GE3
SIHW21N80AE-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-247AD, Through Hole

3131952

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-247AD, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 17.4A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-247AD, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

1.010 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 17.4A
On Resistance Rds(on) 0.205ohm
Transistor Case Style TO-247AD
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 32W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

1.010 În stoc

1+ 24,01 lei Preţ pentru 10+ 18,29 lei Preţ pentru 100+ 14,91 lei Preţ pentru 250+ 14,18 lei Preţ pentru 500+ 13,25 lei Preţ pentru 1000+ 11,25 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 24,01 lei 10+ 18,29 lei 100+ 14,91 lei 250+ 14,18 lei 500+ 13,25 lei 1000+ 11,25 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 17.4A 0.205ohm TO-247AD Through Hole 10V 4V 32W 3Pins 150°C E Series -
SIHA2N80E-GE3
SIHA2N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.8 A, 2.38 ohm, TO-220FP, Through Hole

2932914

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.8 A, 2.38 ohm, TO-220FP, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 2.8A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.8 A, 2.38 ohm, TO-220FP, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

1.046 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 2.8A
On Resistance Rds(on) 2.38ohm
Transistor Case Style TO-220FP
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 29W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

1.046 În stoc

1+ 4,01 lei Preţ pentru 10+ 3,11 lei Preţ pentru 100+ 2,88 lei Preţ pentru 250+ 2,87 lei Preţ pentru 500+ 2,87 lei Preţ pentru 1000+ 2,86 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 4,01 lei 10+ 3,11 lei 100+ 2,88 lei 250+ 2,87 lei 500+ 2,87 lei 1000+ 2,86 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 2.8A 2.38ohm TO-220FP Through Hole 10V 4V 29W 3Pins 150°C E Series -
SIHA4N80E-GE3
SIHA4N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Through Hole

2932916

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

1.046 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A
On Resistance Rds(on) 1.1ohm
Transistor Case Style TO-220FP
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 69W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

1.046 În stoc

1+ 5,28 lei Preţ pentru 10+ 3,99 lei Preţ pentru 100+ 3,50 lei Preţ pentru 250+ 3,50 lei Preţ pentru 500+ 3,49 lei Preţ pentru 1000+ 3,49 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 5,28 lei 10+ 3,99 lei 100+ 3,50 lei 250+ 3,50 lei 500+ 3,49 lei 1000+ 3,49 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 4.3A 1.1ohm TO-220FP Through Hole 10V 4V 69W 3Pins 150°C E Series -
SIHG11N80E-GE3
SIHG11N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-247AC, Through Hole

2932926

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-247AC, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 12A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-247AC, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

978 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 12A
On Resistance Rds(on) 0.38ohm
Transistor Case Style TO-247AC
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 179W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

978 În stoc

1+ 19,85 lei Preţ pentru 10+ 15,01 lei Preţ pentru 100+ 12,03 lei Preţ pentru 250+ 11,88 lei Preţ pentru 500+ 11,69 lei Preţ pentru 1000+ 11,54 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 19,85 lei 10+ 15,01 lei 100+ 12,03 lei 250+ 11,88 lei 500+ 11,69 lei 1000+ 11,54 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 12A 0.38ohm TO-247AC Through Hole 10V 4V 179W 3Pins 150°C E Series -
SIHA6N80E-GE3
SIHA6N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-220FP, Through Hole

2932917

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-220FP, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-220FP, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

1.000 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A
On Resistance Rds(on) 0.82ohm
Transistor Case Style TO-220FP
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 31W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

1.000 În stoc

1+ 12,27 lei Preţ pentru 10+ 9,19 lei Preţ pentru 100+ 7,19 lei Preţ pentru 250+ 6,99 lei Preţ pentru 500+ 6,06 lei Preţ pentru 1000+ 5,09 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 12,27 lei 10+ 9,19 lei 100+ 7,19 lei 250+ 6,99 lei 500+ 6,06 lei 1000+ 5,09 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 5.4A 0.82ohm TO-220FP Through Hole 10V 4V 31W 3Pins 150°C E Series -
SIHB11N80E-GE3
SIHB11N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

2932918

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 12A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

1 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din Liege: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

941 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Data Sheet
+
RoHS
Bandă tăiată
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 12A
On Resistance Rds(on) 0.38ohm
Transistor Case Style TO-263 (D2PAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 179W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

942 În stoc

1+ 19,36 lei Preţ pentru 10+ 14,28 lei Preţ pentru 100+ 11,74 lei Preţ pentru 250+ 11,39 lei Preţ pentru 500+ 10,22 lei Preţ pentru 1000+ 8,61 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată (pe bobină tăiată)

Bandă tăiată
Opţiuni de ambalare
Înlocuire sugerată pentru:2932918
2932918RL în Rebobinare

1+ 19,36 lei 10+ 14,28 lei 100+ 11,74 lei 250+ 11,39 lei 500+ 10,22 lei 1000+ 8,61 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 12A 0.38ohm TO-263 (D2PAK) Surface Mount 10V 4V 179W 3Pins 150°C E Series -
SIHD4N80E-GE3
SIHD4N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

2932924

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

2.988 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A
On Resistance Rds(on) 1.1ohm
Transistor Case Style TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 69W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

2.988 În stoc

1+ 8,66 lei Preţ pentru 10+ 6,70 lei Preţ pentru 100+ 5,04 lei Preţ pentru 250+ 4,94 lei Preţ pentru 500+ 4,27 lei Preţ pentru 1000+ 3,49 lei Preţ pentru 5000+ 3,32 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 8,66 lei 10+ 6,70 lei 100+ 5,04 lei 250+ 4,94 lei 500+ 4,27 lei 1000+ 3,49 lei 5000+ 3,32 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 4.3A 1.1ohm TO-252 (DPAK) Surface Mount 10V 4V 69W 3Pins 150°C E Series -
SIHD2N80AE-GE3
SIHD2N80AE-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

3050581

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 2.9A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.9 A, 2.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

3.000 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Data Sheet
+
RoHS
Bandă tăiată
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 2.9A
On Resistance Rds(on) 2.5ohm
Transistor Case Style TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 62.5W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E-Series
Automotive Qualification Standard -

3.000 În stoc

1+ 5,43 lei Preţ pentru 10+ 4,30 lei Preţ pentru 100+ 3,16 lei Preţ pentru 250+ 3,08 lei Preţ pentru 500+ 2,70 lei Preţ pentru 1000+ 2,19 lei Preţ pentru 5000+ 2,02 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată (pe bobină tăiată)

Bandă tăiată

1+ 5,43 lei 10+ 4,30 lei 100+ 3,16 lei 250+ 3,08 lei 500+ 2,70 lei 1000+ 2,19 lei 5000+ 2,02 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 2.9A 2.5ohm TO-252 (DPAK) Surface Mount 10V 4V 62.5W 3Pins 150°C E-Series -
SIHB4N80E-GE3
SIHB4N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

2932921RL

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

1.000 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A
On Resistance Rds(on) 1.1ohm
Transistor Case Style TO-263 (D2PAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 69W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

1.000 În stoc

10+ 4,50 lei Preţ pentru 100+ 3,99 lei Preţ pentru 250+ 3,99 lei Preţ pentru 500+ 3,98 lei Preţ pentru

Cantitate

Bucată (pe bobină tăiată)

Rebobinare
Opţiuni de ambalare
Înlocuire sugerată pentru:2932921RL
2932921 în Bandă tăiată
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei

10+ 4,50 lei 100+ 3,99 lei 250+ 3,99 lei 500+ 3,98 lei

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 10 Mult: 1
N Channel 800V 4.3A 1.1ohm TO-263 (D2PAK) Surface Mount 10V 4V 69W 3Pins 150°C E Series -
SIHP21N80AE-GE3
SIHP21N80AE-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Through Hole

3019099

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 17.4A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

46 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 17.4A
On Resistance Rds(on) 0.205ohm
Transistor Case Style TO-220AB
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 32W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

46 În stoc

1+ 20,64 lei Preţ pentru 10+ 15,65 lei Preţ pentru 100+ 12,52 lei Preţ pentru 250+ 11,83 lei Preţ pentru 500+ 11,15 lei Preţ pentru 1000+ 9,10 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 20,64 lei 10+ 15,65 lei 100+ 12,52 lei 250+ 11,83 lei 500+ 11,15 lei 1000+ 9,10 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 17.4A 0.205ohm TO-220AB Through Hole 10V 4V 32W 3Pins 150°C E Series -
SIHA17N80E-GE3
SIHA17N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Through Hole

2932905

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 15A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

1.000 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 15A
On Resistance Rds(on) 0.25ohm
Transistor Case Style TO-220FP
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 35W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

1.000 În stoc

1+ 26,11 lei Preţ pentru 10+ 20,00 lei Preţ pentru 100+ 16,58 lei Preţ pentru 250+ 15,75 lei Preţ pentru 500+ 14,77 lei Preţ pentru 1000+ 12,27 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 26,11 lei 10+ 20,00 lei 100+ 16,58 lei 250+ 15,75 lei 500+ 14,77 lei 1000+ 12,27 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 15A 0.25ohm TO-220FP Through Hole 10V 4V 35W 3Pins 150°C E Series -
SIHD6N80E-GE3
SIHD6N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

2932925RL

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

2.996 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A
On Resistance Rds(on) 0.82ohm
Transistor Case Style TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 78W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

2.996 În stoc

10+ 7,63 lei Preţ pentru 100+ 5,87 lei Preţ pentru 250+ 5,72 lei Preţ pentru 500+ 4,99 lei Preţ pentru 1000+ 4,12 lei Preţ pentru

Cantitate

Bucată (pe bobină tăiată)

Rebobinare
Opţiuni de ambalare
Înlocuire sugerată pentru:2932925RL
2932925 în Bandă tăiată
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei

10+ 7,63 lei 100+ 5,87 lei 250+ 5,72 lei 500+ 4,99 lei 1000+ 4,12 lei

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 10 Mult: 1
N Channel 800V 5.4A 0.82ohm TO-252 (DPAK) Surface Mount 10V 4V 78W 3Pins 150°C E Series -
SIHU4N80E-GE3
SIHU4N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-251, Through Hole

2932937

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-251, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-251, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

3.000 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A
On Resistance Rds(on) 1.1ohm
Transistor Case Style TO-251
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 69W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

3.000 În stoc

1+ 9,54 lei Preţ pentru 10+ 7,29 lei Preţ pentru 100+ 5,57 lei Preţ pentru 250+ 5,43 lei Preţ pentru 500+ 4,72 lei Preţ pentru 1000+ 3,85 lei Preţ pentru 5000+ 3,66 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 9,54 lei 10+ 7,29 lei 100+ 5,57 lei 250+ 5,43 lei 500+ 4,72 lei 1000+ 3,85 lei 5000+ 3,66 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 4.3A 1.1ohm TO-251 Through Hole 10V 4V 69W 3Pins 150°C E Series -
SIHG21N80AE-GE3
SIHG21N80AE-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-247AC, Through Hole

3131951

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-247AC, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 17.4A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-247AC, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

70 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din Liege: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

430 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 17.4A
On Resistance Rds(on) 0.205ohm
Transistor Case Style TO-247AC
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 32W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

500 În stoc

1+ 24,65 lei Preţ pentru 10+ 18,83 lei Preţ pentru 100+ 15,31 lei Preţ pentru 250+ 14,52 lei Preţ pentru 500+ 13,64 lei Preţ pentru 1000+ 11,54 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 24,65 lei 10+ 18,83 lei 100+ 15,31 lei 250+ 14,52 lei 500+ 13,64 lei 1000+ 11,54 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 17.4A 0.205ohm TO-247AC Through Hole 10V 4V 32W 3Pins 150°C E Series -
SIHD2N80E-GE3
SIHD2N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.8 A, 2.38 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

2932923RL

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.8 A, 2.38 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 2.8A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.8 A, 2.38 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

5 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din Liege: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

2.989 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 2.8A
On Resistance Rds(on) 2.38ohm
Transistor Case Style TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 62.5W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

2.994 În stoc

10+ 5,48 lei Preţ pentru 100+ 3,91 lei Preţ pentru 250+ 3,87 lei Preţ pentru 500+ 3,32 lei Preţ pentru 1000+ 2,61 lei Preţ pentru 5000+ 2,42 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată (pe bobină tăiată)

Rebobinare
Opţiuni de ambalare
Înlocuire sugerată pentru:2932923RL
2932923 în Bandă tăiată
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei

10+ 5,48 lei 100+ 3,91 lei 250+ 3,87 lei 500+ 3,32 lei 1000+ 2,61 lei 5000+ 2,42 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 10 Mult: 5
N Channel 800V 2.8A 2.38ohm TO-252 (DPAK) Surface Mount 10V 4V 62.5W 3Pins 150°C E Series -
SIHB4N80E-GE3
SIHB4N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

2932921

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 1.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

1.000 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 19.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Data Sheet
+
RoHS
Bandă tăiată
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 4.3A
On Resistance Rds(on) 1.1ohm
Transistor Case Style TO-263 (D2PAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 69W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

1.000 În stoc

1+ 6,16 lei Preţ pentru 10+ 4,50 lei Preţ pentru 100+ 3,99 lei Preţ pentru 250+ 3,99 lei Preţ pentru 500+ 3,98 lei Preţ pentru

Cantitate

Bucată (pe bobină tăiată)

Bandă tăiată
Opţiuni de ambalare
Înlocuire sugerată pentru:2932921
2932921RL în Rebobinare

1+ 6,16 lei 10+ 4,50 lei 100+ 3,99 lei 250+ 3,99 lei 500+ 3,98 lei

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 4.3A 1.1ohm TO-263 (D2PAK) Surface Mount 10V 4V 69W 3Pins 150°C E Series -
SIHP11N80E-GE3
SIHP11N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Through Hole

2772345

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 12A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

995 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 05.10.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 12A
On Resistance Rds(on) 0.38ohm
Transistor Case Style TO-220AB
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 179W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

995 În stoc

1+ 8,66 lei Preţ pentru 10+ 8,22 lei Preţ pentru 100+ 7,78 lei Preţ pentru 250+ 7,29 lei Preţ pentru 500+ 6,85 lei Preţ pentru

Cantitate

Bucată

1+ 8,66 lei 10+ 8,22 lei 100+ 7,78 lei 250+ 7,29 lei 500+ 6,85 lei

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 12A 0.38ohm TO-220AB Through Hole 10V 4V 179W 3Pins 150°C E Series -
SIHD6N80E-GE3
SIHD6N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

2932925

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 5.4 A, 0.82 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

+ Verificare stoc și termen de livrare

2.996 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Data Sheet
+
RoHS
Bandă tăiată
Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 5.4A
On Resistance Rds(on) 0.82ohm
Transistor Case Style TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting Surface Mount
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 78W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

2.996 În stoc

1+ 10,12 lei Preţ pentru 10+ 7,63 lei Preţ pentru 100+ 5,87 lei Preţ pentru 250+ 5,72 lei Preţ pentru 500+ 4,99 lei Preţ pentru 1000+ 4,12 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată (pe bobină tăiată)

Bandă tăiată
Opţiuni de ambalare
Înlocuire sugerată pentru:2932925
2932925RL în Rebobinare

1+ 10,12 lei 10+ 7,63 lei 100+ 5,87 lei 250+ 5,72 lei 500+ 4,99 lei 1000+ 4,12 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 5.4A 0.82ohm TO-252 (DPAK) Surface Mount 10V 4V 78W 3Pins 150°C E Series -
SIHA11N80E-GE3
SIHA11N80E-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Through Hole

2932902

VISHAY

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Through Hole

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 12A

+ Vedeţi toate informaţiile despre produse

VISHAY 

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Through Hole

+ Verificare stoc și termen de livrare

2 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din Liege: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

995 se livrează în 1-2 zile din depozitul nostru din UK: 00 (pentru produsele rebobinate: 18:30) Lu-Vi (cu excepția sărbătorilor naționale)

Începând cu săptămâna care debutează în data de 21.09.2020 vor fi disponibile mai multe produse în stoc

Transistor Polarity N Channel
Drain Source Voltage Vds 800V
Continuous Drain Current Id 12A
On Resistance Rds(on) 0.38ohm
Transistor Case Style TO-220FP
Transistor Mounting Through Hole
Rds(on) Test Voltage Vgs 10V
Threshold Voltage Vgs 4V
Power Dissipation Pd 34W
No. of Pins 3Pins
Operating Temperature Max 150°C
Product Range E Series
Automotive Qualification Standard -

997 În stoc

1+ 17,26 lei Preţ pentru 10+ 13,01 lei Preţ pentru 100+ 10,42 lei Preţ pentru 250+ 9,83 lei Preţ pentru 500+ 9,24 lei Preţ pentru 1000+ 7,82 lei Preţ pentru Mai multe preţuri...

Cantitate

Bucată

1+ 17,26 lei 10+ 13,01 lei 100+ 10,42 lei 250+ 9,83 lei 500+ 9,24 lei 1000+ 7,82 lei Mai multe preţuri...

Articol restricţionat
Adăugare
Min: 1 Mult: 1
N Channel 800V 12A 0.38ohm TO-220FP Through Hole 10V 4V 34W 3Pins 150°C E Series -