Imprimare pagină
IMBG120R030M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMBG120R030M1HXTMA1
Cod de comandă3582461RL
Gamă de produseCoolSiC Series
Cunoscut şi sub denumirea deIMBG120R030M1H, SP004463784
Fişă tehnică
837 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 10+ | 50,440 lei |
| 50+ | 47,960 lei |
| 100+ | 45,420 lei |
| 250+ | 44,500 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 10
Mai multe: 1
524,40 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMBG120R030M1HXTMA1
Cod de comandă3582461RL
Gamă de produseCoolSiC Series
Cunoscut şi sub denumirea deIMBG120R030M1H, SP004463784
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation Pd300W
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
IMBG120R030M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical application includes drives, infrastructure – charger, energy generation - solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies - industrial UPS.
- DC drain current is 56A, drain-source on-state resistance is 30mohm(VGS = 18V, ID = 25A, Tvj = 25°C)
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance greater than 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Available in 7 pin TO-263 package
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Power Dissipation
300W
Product Range
CoolSiC Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
300W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (1)
Produse asociate
4 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001959
Trasabilitatea produsului