Imprimare pagină
IMBG120R140M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMBG120R140M1HXTMA1
Cod de comandă3582465RL
Gamă de produseCoolSiC Trench Series
Cunoscut şi sub denumirea deIMBG120R140M1H, SP004463792
Fişă tehnică
960 În Stoc
1.000 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 100+ | 17,420 lei |
| 500+ | 15,850 lei |
| 1000+ | 14,220 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 100
Mai multe: 1
1.762,00 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMBG120R140M1HXTMA1
Cod de comandă3582465RL
Gamă de produseCoolSiC Trench Series
Cunoscut şi sub denumirea deIMBG120R140M1H, SP004463792
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Drain Source On State Resistance0.189ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation Pd107W
Power Dissipation107W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.189ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Power Dissipation
107W
Product Range
CoolSiC Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
107W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (1)
Produse asociate
4 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001588
Trasabilitatea produsului