Imprimare pagină
IRF7807D1PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 8.3 A, 0.025 ohm, SOIC, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRF7807D1PBF
Cod de comandă1013489
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternative pentru IRF7807D1PBF
6 produse găsite
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Morocco
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Morocco
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0005