Imprimare pagină
2N2222
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
16.861 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,400 lei |
| 10+ | 5,130 lei |
| 100+ | 3,670 lei |
| 500+ | 2,570 lei |
| 1000+ | 1,830 lei |
| 5000+ | 1,610 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
6,40 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorMULTICOMP PRO
Nr. de reper producător2N2222
Cod de comandă9206884
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current800mA
Power Dissipation1.2W
Transistor Case StyleTO-18
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The 2N2222 from Multicomp Pro is a through hole, low power bipolar transistor in TO-18 metal can package. This NPN silicon planar switching transistor is used for switching, linear DC power supply and VHF amplifier applications.
- Collector emitter breakdown voltage is 30V at IC = 10mA, IB = 0
- Continuous collector current (Ic) of 800mA
- Power dissipation is 500mW at Ta = 25°C
- Operating junction temperature range from -65°C to 200°C
- Collector emitter saturation voltage is 1.6V at IC = 500mA, IB = 50mA
- DC current gain is 30 at IC = 500mA, VCE = 10V
- Collector base breakdown voltage is 60V at IC = 10µA, IE = 0
- Transition frequency is 250MHz at IC = 20mA, VCE = 20V, f = 100MHz
Aplicaţii
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
800mA
Transistor Case Style
TO-18
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
1.2W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru 2N2222
3 produse găsite
Produse asociate
3 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:India
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:India
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00035