Imprimare pagină
NXH020P120MNF1PTG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
18 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 751,540 lei |
| 5+ | 702,260 lei |
| 10+ | 649,380 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
751,54 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNXH020P120MNF1PTG
Cod de comandă3973632
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
Power Dissipation119W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.81V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
119W
Product Range
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.09
Trasabilitatea produsului