Imprimare pagină
FDV301N
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
42.443 În Stoc
30.000 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 5+ | 1,220 lei |
| 50+ | 0,530 lei |
| 100+ | 0,340 lei |
| 500+ | 0,320 lei |
| 1500+ | 0,300 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 5
Mai multe: 5
6,10 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorFDV301N
Cod de comandă9845011
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.06V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
The FDV301N is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance, this one N channel FET can replace several different digital transistors with different bias resistor values. FDV301N is suitable for low voltage and power management applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 25V
- Gate to source voltage of 8V
- Continuous drain current (Id) of 220mA
- Power dissipation (Pd) of 350mW
- Low on state resistance of 3.1ohm at Vgs 4.5V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.06V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (3)
Alternative pentru FDV301N
1 produs găsit
Produse asociate
2 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000033