Imprimare pagină
IXGH30N60C3C1
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXGH30N60C3C1
Cod de comandă1829731
Fişă tehnică
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Power Dissipation220W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Alternative pentru IXGH30N60C3C1
6 produse găsite
Prezentare generală a produsului
The IXGH30N60C3C1 is a GenX3™ high-speed PT IGBT with SiC anti-parallel diode. It is optimized for low switching losses. It is suitable for battery chargers, welding machines and 40 to 100kHz switching applications.
- Square RBSOA
- Anti-parallel Schottky diode
- High power density
- Low gate drive requirement
Aplicaţii
Power Management, Motor Drive & Control, Maintenance & Repair, Lighting
Specificaţii tehnice
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
220W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
4 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.006