Imprimare pagină
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producător2N5883G
Cod de comandă2535597
Gamă de produse2NXXXX
Fişă tehnică
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current25A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-204
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min4hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range2NXXXX
Qualification-
Prezentare generală a produsului
The 2N5883G is a 25A PNP high-power complementary Silicon Transistor designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
- Low collector-emitter saturation voltage (1VDC maximum VCE(sat) @ 15A DC IC)
- Low leakage current (1mA DC maximum ICEX @ rated voltage)
- Excellent DC current gain (20 minimum hFE @ 10A DC IC)
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
25A
Transistor Case Style
TO-204
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
4hFE
Product Range
2NXXXX
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
8 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.012247