Imprimare pagină
NXV08V080DB1
MOSFET Transistor, 130 A, 80 V, 0.003 ohm, 10 V, 4 V
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 12 săptămână (săptămâni)
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 44+ | 95,710 lei |
Preţ pentru:Tube of 1
Minim: 44
Mai multe: 44
4.211,24 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorNXV08V080DB1
Cod de comandă3617527
Fişă tehnică
Channel Type-
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance0.003ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Specificaţii tehnice
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
130A
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.1
Trasabilitatea produsului