Imprimare pagină
SS9018HBU.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 15 V, 50 mA, 400 mW, TO-226AA, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorONSEMI
Nr. de reper producătorSS9018HBU.
Cod de comandă2454127
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Continuous Collector Current50mA
Power Dissipation400mW
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency1.1GHz
DC Current Gain hFE Min97hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Prezentare generală a produsului
The SS9018HBU is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for use as an AM/FM amplifier, local oscillator of FM/VHF tuner applications.
- 1.1GHz High-current gain bandwidth product (fT)
Aplicaţii
Power Management, RF Communications, Industrial
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
50mA
Transistor Case Style
TO-226AA
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
97hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
15V
Power Dissipation
400mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
1.1GHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:South Korea
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:South Korea
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000179