Imprimare pagină
2N1893
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 150 mA, 800 mW, TO-39, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producător2N1893
Cod de comandă1015768
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current150mA
Power Dissipation800mW
Transistor Case StyleTO-39
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency70MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
150mA
Transistor Case Style
TO-39
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
800mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
70MHz
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0024