Imprimare pagină
BD956
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 120 V, 2 A, 40 W, TO-220, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorTT ELECTRONICS / SEMELAB
Nr. de reper producătorBD956
Cod de comandă1208589
Fişă tehnică
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max120V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation40W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (16-Jul-2019)
Prezentare generală a produsului
The BD956 is a PNP silicon epitaxial base Power Transistor intended for use in a wide range of power amplifiers and for switching applications.
- NPN complement BD955
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
2A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
120V
Power Dissipation
40W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Great Britain
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Great Britain
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (16-Jul-2019)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002