Imprimare pagină
IRF9610PBF
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
1.178 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,820 lei |
| 10+ | 6,400 lei |
| 100+ | 4,720 lei |
| 500+ | 4,110 lei |
| 1000+ | 3,650 lei |
| 5000+ | 3,330 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
7,82 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorIRF9610PBF
Cod de comandă9103562
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id1.75A
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation20W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The IRF9610PBF is a -200V P-channel Power MOSFET uses advanced HEXFET technology. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching
- 150°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Aplicaţii
Power Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.75A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002
Trasabilitatea produsului