Imprimare pagină
SI7772DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 35.6 A, 0.0105 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorSI7772DP-T1-GE3
Cod de comandă1858978
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35.6A
Drain Source On State Resistance0.0105ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation3.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternative pentru SI7772DP-T1-GE3
2 produse găsite
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35.6A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Taiwan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Taiwan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002