Imprimare pagină
IXFN200N10P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN200N10P
Cod de comandă1427322
Gamă de produsePolar(TM) HiPerFET
Fişă tehnică
188 În Stoc
300 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 137,670 lei |
| 5+ | 119,230 lei |
| 10+ | 100,790 lei |
| 50+ | 97,330 lei |
| 100+ | 93,830 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
137,67 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN200N10P
Cod de comandă1427322
Gamă de produsePolar(TM) HiPerFET
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage15V
Transistor Case StyleISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product RangePolar(TM) HiPerFET
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Prezentare generală a produsului
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Aplicaţii
Power Management, Lighting
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
15V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.03
Trasabilitatea produsului