Imprimare pagină
2DD2678-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 12 V, 1.5 A, 900 mW, SOT-89, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Detalii tehnice
ProducătorDIODES INC.
Nr. de reper producător2DD2678-13
Cod de comandă1710677
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation900mW
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency170MHz
DC Current Gain hFE Min270hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1.5A
Transistor Case Style
SOT-89
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
270hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
900mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
170MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000051