Imprimare pagină
DMG1013UWQ-7
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
3.249 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 5+ | 1,320 lei |
| 50+ | 0,860 lei |
| 100+ | 0,430 lei |
| 500+ | 0,400 lei |
| 1500+ | 0,370 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 5
Mai multe: 5
6,60 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorDIODES INC.
Nr. de reper producătorDMG1013UWQ-7
Cod de comandă3127311
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id820mA
Drain Source On State Resistance0.75ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation310mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
DMG1013UWQ-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET in a 3 pin SOT323 package. The DMG1013UWQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities.
- Dain-source voltage is -20V
- Gate-source voltage is ±6V
- Pulsed drain current is -3A
- Power dissipation is 0.31W
- Operating temperature range from -55 to +150°C
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- ESD protected
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
820mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
310mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru DMG1013UWQ-7
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000145
Trasabilitatea produsului