Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
296.213 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
Cantitate | Preț (fără TVA) |
---|---|
5+ | 0,870 lei |
10+ | 0,500 lei |
100+ | 0,350 lei |
500+ | 0,320 lei |
1000+ | 0,310 lei |
5000+ | 0,210 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 5
Mai multe: 5
4,35 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorDIODES INC.
Nr. de reper producătorDMG2305UX-7
Cod de comandă2543533
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation1.4W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prezentare generală a produsului
DMG2305UX-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(on)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters, motor controls.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed
- Drain-source voltage is -20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA=+25°C
- Continuous drain current is -4.2A at TA=+25°C, VGS = -4.5V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -15A at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 40mohm typ at VGS = -4.5V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- Gate threshold voltage is -0.9V max at VDS = VGS, ID = -250µA, TA = +25°C
- SOT23 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru DMG2305UX-7
1 produs găsit
Produse asociate
3 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000059