Imprimare pagină
FMMT491ATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
3.766 În Stoc
6.000 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,130 lei |
| 500+ | 0,830 lei |
| 1500+ | 0,720 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 100
Mai multe: 5
133,00 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorDIODES INC.
Nr. de reper producătorFMMT491ATA
Cod de comandă3127388RL
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Continuous Collector Current1A
DC Collector Current1A
Power Dissipation500mW
Power Dissipation Pd500mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency150MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
DC Current Gain hFE300hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
FMMT491ATA is a NPN silicon planar medium power transistor.
- RCE(sat) = 195mohm for a low equivalent on-resistance
- hFE characterized up to 2A for high current gain hold up
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability, PPAP capable
- Collector-base voltage/collector-emitter voltage is 40V at TA = +25°C
- Emitter-base voltage is 7V at TA = +25°C
- Continuous collector current is 1A at TA = +25°C
- Peak pulse current is 2A at TA = +25°C
- Base current is 200mA at TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
DC Collector Current
1A
Power Dissipation Pd
500mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
150MHz
DC Current Gain hFE
300hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
40V
Continuous Collector Current
1A
Power Dissipation
500mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000082
Trasabilitatea produsului