Imprimare pagină
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 7 săptămână (săptămâni)
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 518,970 lei |
| 5+ | 493,120 lei |
| 10+ | 467,210 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
518,97 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorGENESIC
Nr. de reper producătorG3R20MT17K
Cod de comandă3598657
Gamă de produseG3R
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id124A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation809W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Prezentare generală a produsului
G3R20MT17K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Applications includes EV fast charging, solar inverters, industrial motor drives, transportation, industrial power supply, smart grid and HVDC, induction heating and welding, pulsed power.
- Drain-source voltage is 1700V (V=0V, I=100µA, T=25°C), RDS(ON) is 20mohm typ (T=25°C, VGS=15V)
- G3R™ Technology with +15V gate drive, softer R v/s temperature dependency
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, smaller R and lower Q
- Low device capacitances (C0ss, CRss ), superior cost-performance index
- Robust body diode with low V and low QRR, industry-leading UIL & short-circuit robustness
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Reduced ringing, faster, more efficient switching, continuous forward current is 67A (T=100°C)
- Lesser switching spikes and lower losses, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- TO-247-4 package, operating temperature range from -55 to 175°C
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
124A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
809W
Product Range
G3R
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001393