Imprimare pagină
289 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 109,220 lei |
| 5+ | 104,800 lei |
| 10+ | 100,330 lei |
| 50+ | 98,760 lei |
| 100+ | 97,180 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
109,22 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorGENESIC
Nr. de reper producătorG3R30MT12K
Cod de comandă3598641
Gamă de produseG3R
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.69V
Power Dissipation281W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Prezentare generală a produsului
G3R30MT12K is a 1200V, 30mohm, N-channel enhancement mode, silicon carbide MOSFET. Applications include solar inverters, motor drives, EV charging, high voltage DC-DC converters, switched mode power supplies, UPS, smart grid transmission and distribution, induction heating and welding.
- G3R™ (3rd generation) technology, low temperature coefficient of RDS(ON)
- Lower Q and smaller RG(INT), low device capacitances (COSS, CRSS)
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR, 100% avalanche (UIL) tested
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Reduced ringing, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- Operating and storage temperature range from -55 to 175°C, TO-247-4 package
- Continuous forward current is 50A at Tc = 100°C, V = -5 / +15V
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.69V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
281W
Product Range
G3R
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001393