Imprimare pagină
AIMBG75R016M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorAIMBG75R016M1HXTMA1
Cod de comandă4295102RL
Gamă de produseCoolSiC Gen I Series
Cunoscut şi sub denumirea deAIMBG75R016M1H, SP005582386
Fişă tehnică
611 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 10+ | 82,040 lei |
| 50+ | 76,500 lei |
| 100+ | 70,920 lei |
| 250+ | 69,490 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 10
Mai multe: 1
840,40 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorAIMBG75R016M1HXTMA1
Cod de comandă4295102RL
Gamă de produseCoolSiC Gen I Series
Cunoscut şi sub denumirea deAIMBG75R016M1H, SP005582386
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation384W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen I Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
98A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
384W
Product Range
CoolSiC Gen I Series
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0013
Trasabilitatea produsului