Imprimare pagină
AUIRF4905STRL
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorAUIRF4905STRL
Cod de comandă2725788
Gamă de produseHEXFET Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP001517998
Fişă tehnică
15.315 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
În limita stocului disponibil
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 29,460 lei |
| 10+ | 24,030 lei |
| 100+ | 20,020 lei |
| 500+ | 16,410 lei |
| 1000+ | 16,100 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
29,46 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorAUIRF4905STRL
Cod de comandă2725788
Gamă de produseHEXFET Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP001517998
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
Prezentare generală a produsului
Automotive grade HEXFET® power MOSFET specifically designed for automotive applications.
- Advanced planar technology
- P-channel MOSFET
- Low on-resistance
- Fast switching speed and ruggedized device design
- Repetitive avalanche allowed up to Taxa
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001