Imprimare pagină
BFQ19SH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBFQ19SH6327XTSA1
Cod de comandă2726101
Cunoscut şi sub denumirea deBFQ 19S H6327, SP001125294
Fişă tehnică
1.070 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,570 lei |
| 10+ | 1,690 lei |
| 100+ | 1,410 lei |
| 500+ | 1,290 lei |
| 1000+ | 1,240 lei |
| 5000+ | 1,160 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
2,57 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBFQ19SH6327XTSA1
Cod de comandă2726101
Cunoscut şi sub denumirea deBFQ 19S H6327, SP001125294
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Transition Frequency5.5GHz
Power Dissipation1W
Continuous Collector Current120mA
Transistor Case StyleSOT-89
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
Low noise silicon bipolar RF transistor for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz.
- Qualification report according to AEC-Q101
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
5.5GHz
Continuous Collector Current
120mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
15V
Power Dissipation
1W
Transistor Case Style
SOT-89
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0001
Trasabilitatea produsului