Imprimare pagină
BSC500N20NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBSC500N20NS3GATMA1
Cod de comandă2725817
Gamă de produseOptiMOS 3 Series
Cunoscut şi sub denumirea deBSC500N20NS3 G, SP000998292
Fişă tehnică
894 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 10,410 lei |
| 10+ | 7,260 lei |
| 100+ | 5,330 lei |
| 500+ | 4,280 lei |
| 1000+ | 4,110 lei |
| 5000+ | 3,630 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
10,41 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBSC500N20NS3GATMA1
Cod de comandă2725817
Gamă de produseOptiMOS 3 Series
Cunoscut şi sub denumirea deBSC500N20NS3 G, SP000998292
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
Prezentare generală a produsului
BSC500N20NS3GATMA1 is a N-channel OptiMOS 3 power-transistor. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Continuous drain current is 24A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation is 96W
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on) is 42mohm
- Qualified according to JEDEC1 for target application
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
- Available in 8 pin TDSON package
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000149
Trasabilitatea produsului