Imprimare pagină
BSM25GD120DN2BOSA1
IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBSM25GD120DN2BOSA1
Cod de comandă1496948
Cunoscut şi sub denumirea deBSM25GD120DN2, SP000100370
Fişă tehnică
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBSM25GD120DN2BOSA1
Cod de comandă1496948
Cunoscut şi sub denumirea deBSM25GD120DN2, SP000100370
Fişă tehnică
IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current35A
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3V
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleEconoPACK
No. of Pins17Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Alternative pentru BSM25GD120DN2BOSA1
1 produs găsit
Prezentare generală a produsului
The BSM25GD120DN2 is an IGBT Power Module with fast free wheel diodes and insulated metal base plate.
- 3-phase Full bridge
- 130ns Rise time
- 100ns Fall time
- ±20V Gate-emitter voltage
Aplicaţii
Industrial
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
IGBT Configuration
Three Phase Full Bridge
DC Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3V
Power Dissipation
200W
Junction Temperature Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
17Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Power Dissipation Pd
200W
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
EconoPACK
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
-
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.18
Trasabilitatea produsului