Imprimare pagină
BSZ019N03LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBSZ019N03LSATMA1
Cod de comandă2443425RL
Gamă de produseOptiMOS Series
Cunoscut şi sub denumirea deBSZ019N03LS, SP000792362
Fişă tehnică
3.311 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 100+ | 3,160 lei |
| 500+ | 2,770 lei |
| 1000+ | 2,610 lei |
| 5000+ | 2,520 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 100
Mai multe: 1
336,00 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBSZ019N03LSATMA1
Cod de comandă2443425RL
Gamă de produseOptiMOS Series
Cunoscut şi sub denumirea deBSZ019N03LS, SP000792362
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id149A
Drain Source On State Resistance0.0019ohm
Transistor Case StyleTSDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
Prezentare generală a produsului
- OptiMOS™ power N-channel MOSFET
- Optimized for high performance buck converter(Server,VGA), very Low FOMQ OSS for high frequency SMPS
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM), very low on-resistance RDS(on) at VGS=4.5V
- 100% avalanche tested, superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 1.8K/W maximum thermal resistance, junction - case
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- 0.4 to 1.6ohm gate resistance range (Tj=25°C)
- PG-TSDSON-8 FL package, operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
149A
Transistor Case Style
TSDSON-FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru BSZ019N03LSATMA1
7 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0003
Trasabilitatea produsului