Imprimare pagină
F3L25R12W1T4B27BOMA1
IGBT Module, Three level Inverter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Module
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorF3L25R12W1T4B27BOMA1
Cod de comandă3514413
Cunoscut şi sub denumirea deF3L25R12W1T4_B27, SP001056108
Fişă tehnică
26 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 174,550 lei |
| 5+ | 169,110 lei |
| 10+ | 163,630 lei |
| 50+ | 117,960 lei |
| 100+ | 115,620 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
174,55 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorF3L25R12W1T4B27BOMA1
Cod de comandă3514413
Cunoscut şi sub denumirea deF3L25R12W1T4_B27, SP001056108
Fişă tehnică
IGBT ConfigurationThree level Inverter
Transistor PolarityQuad N Channel
DC Collector Current45A
Continuous Collector Current45A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd215W
Power Dissipation215W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins19Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Prezentare generală a produsului
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
IGBT Configuration
Three level Inverter
DC Collector Current
45A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
215W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
19Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
Quad N Channel
Continuous Collector Current
45A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
215W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.4
Trasabilitatea produsului