Imprimare pagină
FF400R12KE3HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Module
75 În Stoc
50 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 772,260 lei |
| 5+ | 733,860 lei |
| 10+ | 695,450 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
772,26 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorFF400R12KE3HOSA1
Cod de comandă2726138
Gamă de produse62mm C
Cunoscut şi sub denumirea deFF400R12KE3, SP000100781
Fişă tehnică
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current580A
Continuous Collector Current580A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation Pd2kW
Power Dissipation2kW
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
FF400R12KE3HOSA1 is a 62mm 1200V, 400A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and emitter controlled high-efficiency diode.
- Superior solution for frequency controlled inverter drives
- UL/CSA certification with UL1557 E83336
- Operating temperature up to 125°C (max 150°C)
- Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses
- Existing packages with higher current capability
- Flexibility and highest reliability
- Optimal electrical performance
- 1200V collector-emitter voltage at Tvj = 25°C
- 580A continuous DC collector current at TC = 25°C, Tvj max = 150°C
- 2000W total power dissipation at TC = 25°C, Tvj max = 150
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
580A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
2kW
Operating Temperature Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
580A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
2kW
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru FF400R12KE3HOSA1
2 produse găsite
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000337
Trasabilitatea produsului