Imprimare pagină
IGLD60R190D1AUMA3
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Surface Mount
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIGLD60R190D1AUMA3
Cod de comandă3775954
Gamă de produseCoolGaN
Cunoscut şi sub denumirea deSP005557217, IGLD60R190D1
Fişă tehnică
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StyleLSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternative pentru IGLD60R190D1AUMA3
1 produs găsit
Specificaţii tehnice
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
LSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
10A
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0001