Imprimare pagină
IMBG40R045M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMBG40R045M2HXTMA1
Cod de comandă4538823
Gamă de produseCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Cunoscut şi sub denumirea deIMBG40R045M2H, SP006064680
Fişă tehnică
975 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 33,930 lei |
| 10+ | 24,840 lei |
| 100+ | 20,120 lei |
| 500+ | 17,980 lei |
| 1000+ | 15,190 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
33,93 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMBG40R045M2HXTMA1
Cod de comandă4538823
Gamă de produseCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Cunoscut şi sub denumirea deIMBG40R045M2H, SP006064680
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0562ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
IMBG40R045M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 44.9mohm RDS(on), 43A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.0562ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
150W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000001
Trasabilitatea produsului