Imprimare pagină
IMBG65R030M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMBG65R030M1HXTMA1
Cod de comandă3928618RL
Gamă de produseCoolSiC M1 Trench Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP005539165, IMBG65R030M1H
Fişă tehnică
Disponibile pentru comandă
Timp standard de executare a comenzii de către producător: 25 săptămână (săptămâni)
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 10+ | 38,050 lei |
| 50+ | 37,740 lei |
| 100+ | 33,580 lei |
| 250+ | 32,920 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 10
Mai multe: 1
400,50 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMBG65R030M1HXTMA1
Cod de comandă3928618RL
Gamă de produseCoolSiC M1 Trench Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP005539165, IMBG65R030M1H
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id63A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation234W
Power Dissipation Pd234W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
234W
Product Range
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
63A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Documentaţie tehnică (1)
Produse asociate
4 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001588
Trasabilitatea produsului