Imprimare pagină
IMCQ120R040M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 56 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, HDSOP
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMCQ120R040M2HXTMA1
Cod de comandă4695757
Gamă de produseCoolSiC Series
Cunoscut şi sub denumirea deIMCQ120R040M2H, SP005927124
Fişă tehnică
515 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 49,230 lei |
| 5+ | 43,890 lei |
| 10+ | 38,560 lei |
| 50+ | 35,360 lei |
| 100+ | 32,160 lei |
| 250+ | 31,500 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
49,23 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIMCQ120R040M2HXTMA1
Cod de comandă4695757
Gamă de produseCoolSiC Series
Cunoscut şi sub denumirea deIMCQ120R040M2H, SP005927124
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0396ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation288W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
IMCQ120R040M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 39A at TC = 100°C
- RDS(on) = 39.6mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
56A
Drain Source On State Resistance
0.0396ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
288W
Product Range
CoolSiC Series
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Malaysia
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00001
Trasabilitatea produsului