Imprimare pagină
IRF3710ZPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRF3710ZPBF
Cod de comandă1013470
Cunoscut şi sub denumirea deSP001564400
Fişă tehnică
1.262 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 10,410 lei |
| 10+ | 5,790 lei |
| 100+ | 3,970 lei |
| 500+ | 3,560 lei |
| 1000+ | 3,000 lei |
| 5000+ | 2,840 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
10,41 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRF3710ZPBF
Cod de comandă1013470
Cunoscut şi sub denumirea deSP001564400
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Fast switching
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current carrying capability package
- Capable of being wave-soldered
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru IRF3710ZPBF
4 produse găsite
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002042
Trasabilitatea produsului