Imprimare pagină
IRF4905STRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRF4905STRLPBF
Cod de comandă1298511
Cunoscut şi sub denumirea deSP001559632
Fişă tehnică
5.834 În Stoc
1.600 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 16,760 lei |
| 10+ | 11,380 lei |
| 100+ | 7,920 lei |
| 500+ | 7,420 lei |
| 1000+ | 5,640 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
16,76 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRF4905STRLPBF
Cod de comandă1298511
Cunoscut şi sub denumirea deSP001559632
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id74A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prezentare generală a produsului
The IRF4905STRLPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rated
- 175°C Operating temperature
Aplicaţii
Power Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
74A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00143