Imprimare pagină
IRF5210STRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRF5210STRLPBF
Cod de comandă1298529
Cunoscut şi sub denumirea deSP001554020
Fişă tehnică
24.401 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 16,210 lei |
| 10+ | 7,010 lei |
| 100+ | 6,600 lei |
| 500+ | 6,250 lei |
| 1000+ | 5,840 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
16,21 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRF5210STRLPBF
Cod de comandă1298529
Cunoscut şi sub denumirea deSP001554020
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The IRF5210STRLPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers of this design is a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Aplicaţii
Automotive, Power Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (3)
Alternative pentru IRF5210STRLPBF
2 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00143