Imprimare pagină
IRF530NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRF530NPBF
Cod de comandă8648263
Gamă de produseHEXFET Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP001570120
Fişă tehnică
3.574 În Stoc
2.000 Vă puteți rezerva stocul acum
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,870 lei |
| 10+ | 3,470 lei |
| 100+ | 2,880 lei |
| 500+ | 2,160 lei |
| 1000+ | 1,980 lei |
| 5000+ | 1,730 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
4,87 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRF530NPBF
Cod de comandă8648263
Gamă de produseHEXFET Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP001570120
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The IRF530NPBF from Infineon is a 100V single N channel HEXFET power MOSFET in a TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on-resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and is fully avalanche rated. As a result, these power MOSFETs are known to provide extreme efficiency and reliability which can be used in a wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 90mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 70W at 25°C
- Continuous drain current Id of 17A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Aplicaţii
Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Documentaţie tehnică (3)
Alternative pentru IRF530NPBF
1 produs găsit
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001814