Imprimare pagină
IRFB4127PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRFB4127PBF
Cod de comandă1688598
Cunoscut şi sub denumirea deSP001560212
Fişă tehnică
596 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,980 lei |
| 10+ | 7,920 lei |
| 100+ | 6,350 lei |
| 500+ | 6,250 lei |
| 1000+ | 6,200 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
7,98 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRFB4127PBF
Cod de comandă1688598
Cunoscut şi sub denumirea deSP001560212
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prezentare generală a produsului
Single N-channel HEXFET® power MOSFET suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
76A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00264
Trasabilitatea produsului