Imprimare pagină
IRFP250NPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRFP250NPBF
Cod de comandă8649260
Gamă de produseHEXFET Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP001554946
Numărul dvs. de piesă
Fişă tehnică
3.795 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 15,650 lei |
| 10+ | 9,450 lei |
| 100+ | 8,840 lei |
| 500+ | 6,650 lei |
| 1000+ | 6,600 lei |
| 5000+ | 6,550 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
15,65 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRFP250NPBF
Cod de comandă8649260
Gamă de produseHEXFET Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP001554946
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The IRFP250NPBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 75mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 214W at 25°C
- Continuous drain current Id of 30A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Documentaţie tehnică (3)
Alternative pentru IRFP250NPBF
3 produse găsite
Produse asociate
4 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.007167
Trasabilitatea produsului