Imprimare pagină
IRFR5305TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRFR5305TRPBF
Cod de comandă2097998
Gamă de produseHEXFET Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP001557082
Fişă tehnică
62.106 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,350 lei |
| 10+ | 3,670 lei |
| 100+ | 2,870 lei |
| 500+ | 2,260 lei |
| 1000+ | 2,060 lei |
| 5000+ | 1,680 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
6,35 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRFR5305TRPBF
Cod de comandă2097998
Gamă de produseHEXFET Series
Cunoscut şi sub denumirea deSP001557082
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The IRFR5305TRPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Ultra low on-resistance
- Advanced process technology
- Fully avalanche rated
Aplicaţii
Power Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Documentaţie tehnică (3)
Alternative pentru IRFR5305TRPBF
2 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00023