Imprimare pagină
IRLB4030PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRLB4030PBF
Cod de comandă1698301
Cunoscut şi sub denumirea deSP001552594
Fişă tehnică
635 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 18,440 lei |
| 10+ | 11,430 lei |
| 100+ | 8,530 lei |
| 500+ | 6,960 lei |
| 1000+ | 6,500 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
18,44 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorIRLB4030PBF
Cod de comandă1698301
Cunoscut şi sub denumirea deSP001552594
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance4300µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation370W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The IRLB4030PBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for DC motor drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Optimized for logic level drive
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Superior R*Q at 4.5V VGS
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Aplicaţii
Power Management, Motor Drive & Control
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
370W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4300µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (1)
Alternative pentru IRLB4030PBF
3 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Mexico
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002
Trasabilitatea produsului