Imprimare pagină
S29GL01GS11TFIV10
Flash Memory, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Parallel, TSOP, 56 Pins
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorS29GL01GS11TFIV10
Cod de comandă3261703
Gamă de produse3V Parallel NOR Flash Memories
Cunoscut şi sub denumirea deSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Fişă tehnică
385 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
.
.
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 63,800 lei |
| 10+ | 59,540 lei |
| 25+ | 58,120 lei |
| 50+ | 55,830 lei |
| 100+ | 54,460 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
63,80 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorS29GL01GS11TFIV10
Cod de comandă3261703
Gamă de produse3V Parallel NOR Flash Memories
Cunoscut şi sub denumirea deSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Fişă tehnică
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density1Gbit
Memory Configuration128M x 8bit
InterfacesCFI, Parallel
IC Case / PackageTSOP
No. of Pins56Pins
Clock Frequency Max-
Access Time110ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
S29GL01GS11TFIV10 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 65nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- CMOS 3.0V core w/ versatile I/O, 110ns random access time, CFI parallel interfaces
- VIO = 1.65V to VCC, VCC = 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- Versatile I/O feature, wide I/O voltage range (VIO): 1.65V to VCC and ×16 data bus
- Asynchronous 32-byte page read and 512-byte programming buffer
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) – internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 1024byte OTP array w/ 2 lockable region
- 56 pin TSOP package and industrial temperature range from -40 to 85°C
Specificaţii tehnice
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
128M x 8bit
IC Case / Package
TSOP
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Density
1Gbit
Interfaces
CFI, Parallel
No. of Pins
56Pins
Access Time
110ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Thailand
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Thailand
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.001361
Trasabilitatea produsului