Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorIXYS SEMICONDUCTOR
Nr. de reper producătorIXFN170N10
Cod de comandă9359222
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Prezentare generală a produsului
The IXFN170N10 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
- UL94V-0 Flammability rating
Aplicaţii
Power Management, Lighting
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
170A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Germany
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.039916